Лазерно-стимулированное формирование интегрально-оптических микроструктур кремниевой фотоники. Исследование оптических и электрофизических свойств структур Si-SiO2 , содержащих нанокластеры кремния. Исследование люминесцентных свойств кремниевых микроструктур, легированных РЗИ

Разработана технология безлитографического формирования фотонных микроструктур  на основе лазерно-стимулированных фотохимических реакций на поверхности кремния;
Проведены комплексные исследования оптических свойств структур  Si-SiO2-nano Si в спектральном диапазоне 0.8 – 16.0 мкм; 
Разработана технология легирования ионами Er и Yb  структур  Si-SiO2-nano Si,
Проведены исследования люминесцентных свойств структур  Si-SiO2-nano Si, легированных ионами РЗИ.
Проведены комплексные исследования оптических и электрофизических свойств кремниевых структур, позволяющие объяснить механизмы формирования групп электрически активных дефектов, отвественных за безъизлучательную рекомбинацию.
 
Спектры люминесценции микроструктур Si-SiO2-nano Si, легированных ионами Er
 
Спектры люминесценции микроструктур Si-SiO2-nano Si, легированных ионами Yb
 
Области применения
В настоящее время кремниевая фотоника, являющаяся одним из разделов интегральной оптики, претерпевает бурный рост. В связи с этим необходимо создание новых материалов фотоники, совместимых с существующей планарной кремниевой технологией.  Поэтому закономерно возрос интерес к нанокомпозиционным материалам, создаваемым на основе структур кремний - диоксид кремния (Si-SiO2) в которых кремний находится в наноразмерной фазе -  кремниевым нанокомпозитам.  
Для создания различных интегрально-оптических микроструктур кремниевой фотоники можно использовать  кремниевые нанокомпозиты, на основе которых создаются волноводные и микрорезонаторные структуры, люминесцентные структуры, сенсоры электрического и магнитного поля, а также  структуры, обладающие эффектом оптически и электрически перезаписываемой памяти. 
Кремниевые нанокомпозиты могут быть легированы редкоземельными ионами (РЗИ), что позволяет кардинальным образом увеличить в них квантовый выход люминесценции и создавать на их основе лазерные микрорезонаторы и активные волноводные структуры, пригодные  для создания на их основе оптических усилителей, конвертеров оптического излучения или магнитооптических элементов интегральной оптики.